三界血歌

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第413章 万兴刚想出改进的办法（第3页）

刨除远场光刻技术的缺点。

第一代光刻机和出口阉割本光刻机，还有第二个致命缺点，就是加工的周期比较长。

处理复杂图案的时候，需要多次对准，多次曝光。

就延长了加工周期。

增加了时间成本。

要是芯片需要多层结构或多个工艺，加工中心还会进一步延长，导致加工的时间成本更高。

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第三个缺点是对使用环境的要求。

传统光刻机需要洁净的加工车间，以保证光刻胶和样品不受污染，就需要高规格的加工车间。

高洁净度车间的成本，也会经常在加工成本内。

进一步增加了芯片的成本。

同时。

第一代光刻机和出口版的光刻机，维护也相对复杂，也变相增加了芯片成本。

总的来说。

0。0第一代光刻机和出口版光刻机，加工精度低，加工成本高，操作不方便，维护起来也很复杂。

注定了第一代和出口版肯定会被淘汰。

但肯定不是现在。

第二代光刻机采用的近场光刻技术，把光刻胶和掩膜之间的距离，缩小到只有光波长的尺寸。

距离近。

更易实现高分辨率。

更容易提升加工的精度。

尽管近场光刻技术精度已经很高，万兴邦还是不太满意。

其一。

近场光刻技术复杂度高，操作难度大。

需要高精度探针，或者接触式探头，对控制和操作的精度要求也很高。

高精度探针制作难度大，成本高，对制造工艺和设备要求有些苛刻，这还只是其中一个缺点。

近场光刻技术的第二个缺点是速度!这才是万幸帮最在意的。

近场光刻技术工作的时候，需要逐点或逐行转移，相比接触式光刻机技术，速度肯定慢很多。

。

这是机制上的问题。

不是光改善其他技术就能追上的。

逐点或逐行转移的加工机制，对于需要通量高和大面积图案的，适用性很低。

而这是未来的趋势。

未来的芯片越来越复杂，需要的通量越来越高，也会越来越大，普通近场光刻技术逐渐过时。

同时。

近场光刻技术由于自身短板，对加工芯片的尺寸和形状也有一定限制。

在加工一些特殊芯片的时候，速度更慢，效率更低，还会降低成功率，增加芯片的制造成本。